Інженерний зразок майбутнього флагманського процесора Qualcomm показав неоднозначні результати в Geekbench 6. Чип, який у витоку фігурує під назвою Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, трохи випередив Apple A20 Pro в багатоядерному тесті, але поступився йому за продуктивністю одного ядра.

Відео з прототипом з’явилося напередодні Snapdragon Summit. Продемонстрований зразок набрав 4327 балів в одноядерному випробуванні та 12 873 — у багатоядерному. Для порівняння, наведені в публікації показники A20 Pro становлять 4725 і 12 575 балів відповідно. Отже, відставання Qualcomm у першому випадку сягає приблизно 8%, тоді як перевага в другому — близько 2,4%.

Ролик також розкриває конфігурацію центрального процесора. Вісім ядер розподілені на три групи за схемою «2 + 3 + 3». Два найшвидші працюють на частоті до 5,10 ГГц, наступна трійка — до 4,00 ГГц, а решта — до 3,74 ГГц. Такий розподіл збігається з попередніми неофіційними повідомленнями про платформу.

Окрему увагу привертає конструкція чипа. На ньому помітний елемент Heat Pass Block, призначений для ефективнішого відведення тепла. Схоже рішення застосовується в Exynos 2600. Водночас сам ролик не дає змоги оцінити, наскільки ця конструкція вплине на нагрівання майбутніх смартфонів або збереження швидкодії під тривалим навантаженням.

У публікації новинку також пов’язують із 2-нанометровим техпроцесом TSMC N2P. Офіційного підтвердження повних характеристик платформи на момент появи витоку ще немає.

Результати прототипу дають попереднє уявлення про можливості чипа, однак робити остаточні висновки щодо його переваги над конкурентами зарано. Показники інженерного зразка можуть відрізнятися від результатів серійних пристроїв, а наведене порівняння не містить подробиць про однакові умови тестування обох платформ. Крім того, ці цифри не відповідають на питання про енергоспоживання та автономність смартфонів. Остаточні характеристики Qualcomm має розкрити на Snapdragon Summit.